De interne geheugenvelden van DRAM-chips kunnen niet zo makkelijk worden versneld als de geheugenbus, met name omdat de capaciteit van de chips naar verwachting zal toenemen. Hoe meer geheugencellen op een gedeelde lijn aangesloten zijn, des te langzamer het geheugenveld reageert. Het kan dus niet willekeurig snel worden gelezen of geschreven.
Om de externe overdrachtssnelheid van de DRAM-chips te verhogen, leest de chip echter meerdere zones van zijn interne geheugenvelden tegelijk uit en stuurt hij de data na elkaar naar zijn I/O-pinnen. Dat wordt prefetching genoemd. DDR4 werkt met acht parallelle toegangen (8N), DDR5 met 16 (16N). Bij DDR5 zijn de interne geheugenvelden echter verdeeld in kleinere gebieden, namelijk acht Bank Groups. Bij DDR4 zijn dat er vier (8BG/4BG).
Omdat een DDR5-chip per adresseringsproces altijd 16 bits intern leest (of schrijft), vindt de dataoverdracht op de geheugenbus ook plaats in sequenties van 16 opeenvolgende pakketten. Dat wordt Burst Length (BL) genoemd – in dit geval BL16. Met een 8 byte brede bus levert één enkel adresseringsproces dus 128 bytes aan data op. De caches van x86-processoren werken echter met een verdeling die slechts half zo groot is, hun zogenaamde Cache Line Lengte is 64 bytes – dat is het favoriete formaat van hun hapklare brokken. Dat is een van de redenen waarom DDR5 het mogelijk maakt om de 64-bit geheugenbus op te splitsen in twee afzonderlijk bruikbare 32-bit kanalen.
Deze ECC-UDIMM van SK Hynix (PC5-5200E0 heeft tien DDR5-SDRAM-chips en een PMIC-chip voor de stroomvoorziening.
Bij DDR5 moeten de signaalfrequenties op de geheugenbus tot meer dan 4 GHz stijgen. Bij dergelijke hoge frequenties treden tal van fysieke effecten op die elektrische signalen verstoren en vervormen. Zelfs de uitbreidingssnelheid is een probleem: bij 4 GHz duurt een klokcyclus slechts 0,25 nanoseconde, in die tijd reist het signaal op een printplaat van het gebruikelijke FR4-materiaal minder dan 4 centimeter.
Een DIMM is drie keer zo lang en de signalen van de geheugencontroller (tegenwoordig in de processor ingebouwd) bereiken daarom niet alle SDRAM-chips op precies hetzelfde moment. Bovendien moeten de signalen meerdere storingspunten overwinnen: de soldeerverbindingen van de DRAM-chips, de contacten van de DIMM en de cpu-socket.
Een schat aan technische trucs optimaliseert de signaalkwaliteit. Zo passen de elektrische driverstappen in de SDRAM-chips en in de geheugencontroller zich met speciale trainingscycli aan elkaar aan. Op die manier compenseert het geheugensysteem ook schommelingen in temperatuur en voedingsspanning of veranderde contactweerstanden van slots. DDR5 maakt gebruik van meer gecompliceerde methoden zoals een Decision Feedback Equalizer (DFE) om het signaal te verbeteren, terwijl een Continuous Time Linear Equalizer (CTLE) voldoende was voor DDR4.
Een ander nieuw kenmerk van DDR5 is dat er niet meer alleen wordt getraind voor de datasignaallijnen (DQ), maar ook voor adressen en commando’s (Command and Address, CA). Voor dat laatste is er nu ook een schakelbare afsluiter (On-Die Termination, ODT) voor impedantiematching. Een andere truc is om bitpatronen op de geheugenbus te vermijden die bijzonder sterke interferentie zouden veroorzaken. Daar kunnen de DRAM-chips de datasignalen voor omkeren (Dynamic Bus Inversion, DBI).